Найдено 458 товаров
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/250000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/250000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4150/4150 МБайт/с, случайный доступ: 600000/750000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4150/4150 МБайт/с, случайный доступ: 600000/750000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 510/475 MBps, случайный доступ: 62000/26500 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 510/475 MBps, случайный доступ: 62000/26500 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/30000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/30000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6800 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1000000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6800 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1000000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 MBps, случайный доступ: 450000/90000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 MBps, случайный доступ: 450000/90000 IOps
2 ТБ, M.2 2242, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4300 МБайт/с, случайный доступ: 570000/700000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2242, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4300 МБайт/с, случайный доступ: 570000/700000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6500 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6500 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6550 МБайт/с, случайный доступ: 660000/800000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/6550 МБайт/с, случайный доступ: 660000/800000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/3000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5012-E12, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/3000 МБайт/с
2.5", PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/700 MBps
2.5", PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2400/700 MBps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 600000/1000000 IOps, SLC-кэш
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 600000/1000000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/6500 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/820000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/6500 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/820000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7500/6700 МБайт/с, случайный доступ: 540000/440000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7500/6700 МБайт/с, случайный доступ: 540000/440000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 3500/2900 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 3500/2900 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 11500/9000 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 11500/9000 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2200/1600 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2200/1600 МБайт/с