Найдено 478 товаров
7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 93000/105000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 93000/105000 IOps
M.2, PCI Express 3.1 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3210/1315 MBps, случайный доступ: 205000/265000 IOps
M.2, PCI Express 3.1 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3210/1315 MBps, случайный доступ: 205000/265000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, случайный доступ: 1500000/1800000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, случайный доступ: 1500000/1800000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3400/3000 МБайт/с, случайный доступ: 544300/403900 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3400/3000 МБайт/с, случайный доступ: 544300/403900 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4950/4250 MBps, случайный доступ: 680000/600000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4950/4250 MBps, случайный доступ: 680000/600000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7500/6850 MBps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7500/6850 MBps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 530/500 МБайт/с, случайный доступ: 98000/60000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 530/500 МБайт/с, случайный доступ: 98000/60000 IOps
1 ТБ, mSATA, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 90000/80000 IOps
1 ТБ, mSATA, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 90000/80000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с
3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4800/4100 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4800/4100 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 97000/37000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 97000/37000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6700/4000 MBps, случайный доступ: 1100000/200000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6700/4000 MBps, случайный доступ: 1100000/200000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 87000/83000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 87000/83000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы MLC, последовательный доступ: 1095/620 MBps, случайный доступ: 125000/100000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы MLC, последовательный доступ: 1095/620 MBps, случайный доступ: 125000/100000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 620000/560000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 620000/560000 IOps, DRAM-буфер