Найдено 478 товаров
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 12000/11000 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1400000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 12000/11000 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1400000 IOps, DRAM-буфер
960 ГБ, 2.5", U.3 (NVMe), последовательный доступ: 6800/1400 МБайт/с, случайный доступ: 530000/85000 IOps
960 ГБ, 2.5", U.3 (NVMe), последовательный доступ: 6800/1400 МБайт/с, случайный доступ: 530000/85000 IOps
2 ТБ, M.2 2242, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4300 МБайт/с, случайный доступ: 570000/700000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2242, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/4300 МБайт/с, случайный доступ: 570000/700000 IOps, SLC-кэш
1 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/3500 МБайт/с, SLC-кэш
1 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/3500 МБайт/с, SLC-кэш
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7200/6200 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7200/6200 МБайт/с, случайный доступ: 530000/420000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 90000/80000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 МБайт/с, случайный доступ: 90000/80000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 13600/10200 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1750000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 13600/10200 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1750000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4500/400 МБайт/с, случайный доступ: 260000/18000 IOps, SLC-кэш
240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4500/400 МБайт/с, случайный доступ: 260000/18000 IOps, SLC-кэш
7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 86000/30000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 86000/30000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 85000/89000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 85000/89000 IOps
240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/1400 МБайт/с
240 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1600/1400 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4800/4100 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 4800/4100 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Samsung Phoenix, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3300 МБайт/с, случайный доступ: 600000/550000 IOps, DRAM-буфер
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/220000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/220000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с