Найдено 526 товаров
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, совместимость с PS5
1.92 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1800 МБайт/с, случайный доступ: 280000/250000 IOps
1.92 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2100/1800 МБайт/с, случайный доступ: 280000/250000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14500/12700 МБайт/с, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14500/12700 МБайт/с, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 505/260 MBps, случайный доступ: 62500/33000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 505/260 MBps, случайный доступ: 62500/33000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 85000/48000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 МБайт/с, случайный доступ: 85000/48000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D TLC NAND, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D TLC NAND, SLC-кэш
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/3000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/480000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 545/525 МБайт/с, случайный доступ: 100000/80000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 545/525 МБайт/с, случайный доступ: 100000/80000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/2400 MBps, случайный доступ: 200000/256000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3300/2400 MBps, случайный доступ: 200000/256000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6800 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1000000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/6800 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1000000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2246, микросхемы TLC, последовательный доступ: 545/450 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2246, микросхемы TLC, последовательный доступ: 545/450 МБайт/с
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1400 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1400 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/5000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/5000 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14700/13300 МБайт/с, случайный доступ: 1850000/2600000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Samsung Presto S4LY027, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14700/13300 МБайт/с, случайный доступ: 1850000/2600000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison S5031-E31T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 10300/8700 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison S5031-E31T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 10300/8700 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/500 МБайт/с
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4500 МБайт/с
U.2, PCI Express 3.1 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2080 MBps, случайный доступ: 643000/199000 IOps
U.2, PCI Express 3.1 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2080 MBps, случайный доступ: 643000/199000 IOps