Оперативная память

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В

двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.3 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8800 МГц, CL 42T, тайминги 42-55-55-140, напряжение 1.45 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

128 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 8200 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48-84, напряжение 1.45 В

двухканальный (2 модуля), частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7600 МГц, CL 36T, тайминги 36-46-46-121, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

4 модуля, частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В