Оперативная память Samsung

Найдено 49 товаров

Samsung 16GB DDR4 PC4-19200 M393A2K40CB1-CRC
  • 16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
Samsung 8ГБ DDR5 5600 МГц M323R1GB4PB0-CWM
  • 8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, напряжение 1.1 В
Samsung 128ГБ DDR4 3200 МГц M393AAG40M32-CAE
  • 128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Samsung 32GB DDR3 1333 МГц M393B4G70DM0-YH9
  • 32 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM Registered, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.35 В
Samsung 16ГБ DDR4 SODIMM 3200 МГц M471A2G43CB2-CWE
  • 16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 M393A2K40CB2-CTD
  • 1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M393A1K43BB1-CTD
  • 8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWE
  • 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В
Samsung 64GB DDR4 PC4-19200 M386A8K40BM1-CRC
  • 64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
Samsung 8ГБ DDR5 6400 МГц M333R1GB4PB1-CCPSG
  • 8 ГБ, 1 модуль DDR5 CUDIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В
Samsung 16ГБ DDR5 SODIMM 5600 МГц M425R2GA3BB0-CWM
  • 16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
Samsung 64GB DDR4 PC4-25600 M393A8G40AB2-CWEBY
  • 1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
Samsung 32ГБ DDR5 5600 МГц M321R4GA3PB0-CWM
  • 32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В

Есть вопросы? Перезвоним вам!

Укажите номер телефона — мы свяжемся в ближайшее время

Неверный номер
Наверх

Корзина