Оперативная память GOODRAM

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-80, напряжение 1.45 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-89, напряжение 1.25 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-102, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-38-38-96, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В